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Fairchild/ON Semiconductor FDG327NZ
| Artikelnummer: | FDG327NZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Fairchild/ON Semiconductor FDG327NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDG327NZ.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-70-6 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 420mW (Ta) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 412pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) FDG327NZ Einzelheiten PDF [English] FDG327NZ PDF - EN.pdf -
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